ECE 585
spring 2012
All Classes
MOS Device Modeling & Design
Credit: 4 hours.
Techniques for characterizing gate oxide and interface properties and reliability, I-V models for circuit simulation, design for control of short channel effects, silicon-on-insulator, and new device structures.
Prerequisite: ECE 441.
- Section Status Closed
- Section Status Open
- Section Status Pending
- Section Status Open (Restricted)
- Section Status Unknown
Section Status updates every 10 minutes.
-
-
- ECE 101
- ECE 110
- ECE 190
- ECE 200
- ECE 205
- ECE 206
- ECE 210
- ECE 211
- ECE 290
- ECE 297
- ECE 307
- ECE 310
- ECE 311
- ECE 313
- ECE 316
- ECE 317
- ECE 329
- ECE 330
- ECE 333
- ECE 340
- ECE 342
- ECE 343
- ECE 350
- ECE 361
- ECE 380
- ECE 385
- ECE 391
- ECE 395
- ECE 396
- ECE 397
- ECE 398
- ECE 403
- ECE 411
- ECE 414
- ECE 415
- ECE 416
- ECE 417
- ECE 418
- ECE 419
- ECE 420
- ECE 422
- ECE 424
- ECE 428
- ECE 431
- ECE 438
- ECE 439
- ECE 441
- ECE 444
- ECE 445
- ECE 447
- ECE 448
- ECE 453
- ECE 457
- ECE 463
- ECE 468
- ECE 472
- ECE 473
- ECE 478
- ECE 480
- ECE 481
- ECE 484
- ECE 486
- ECE 487
- ECE 488
- ECE 490
- ECE 491
- ECE 493
- ECE 495
- ECE 496
- ECE 498
- ECE 499
- ECE 500
- ECE 513
- ECE 515
- ECE 520
- ECE 523
- ECE 524
- ECE 528
- ECE 534
- ECE 536
- ECE 539
- ECE 540
- ECE 544
- ECE 549
- ECE 553
- ECE 558
- ECE 559
- ECE 560
- ECE 561
- ECE 564
- ECE 582
- ECE 585
- ECE 590
- ECE 594
- ECE 597
- ECE 598
- ECE 599
×
STATUS ICON LEGEND
"/> Section is Open
"/> Section is Open with Restrictions
"/> Section is Closed
"/> Section is Pending
"/> Section is availability is unknown
| Detail | Status | CRN | Type | Section | Time | Day | Location | Instructor |
|---|